晶体管开关。 电路工作原理

当使用复杂的图表工作有用的是利用各种技术技巧，可以实现这一目标举手之劳。 其中之一是半导体开关的创建。 它们是什么？ 他们为什么要创造？ 为什么他们被称为“电子钥匙”？ 什么是这个过程的特点是，和寻找什么？

是什么原因让晶体管开关

它们与采用现场或执行 双极晶体管。 进一步划分成具有控制的p-n结的第一和TIR密钥。 中双极分不清/饱和。 晶体管开关12 V将满足从业余无线电的基本要求。

静态模式

在分析了关键的关闭和打开状态。 第一入口是一个低电压电平，它代表逻辑零信号。 在这种模式中，所述过渡是在相反的方向（获得截止）。 而就目前收集只能影响散热。 在该打开状态向键输入是对应于逻辑一个信号的高电压电平。 操作是可能同时在两个模式。 这样的操作可以是在饱和区或输出特性的线性区域。 我们将详细讨论它们。

饱和键

在这种情况下，晶体管的转换被偏置在向前的方向。 因此，如果你改变了基极电流，集电极的价值不会改变。 在对于约0.8V的偏压硅晶体管是必需的，而对于锗电压作为达到一般饱和0.2-0.4 V.一个关键内波动？ 要做到这一点，基极电流增大。 但任何事物都有它的局限性，以及增加饱和度。 所以，当你达到一定的电流值时，它就不再增长。 但为什么花键的饱和？ 有一个特殊的速度，这反映了事态。 其增加的负载容量的增加，其具有晶体管开关，不稳定因素开始影响更小的力，但性能劣化。 因此，从折衷考虑来选择所述饱和度因子值，着眼于需要被执行的问题。

缺点不饱和键

并会如果没有达到最佳值，会怎么样呢？ 然后有这样的缺点：

1. 电压下降开关键减掉约0.5 V.
2. 恶化的免疫力。 这是由于增加的输入阻抗，这是在键观察时它们是打开的。 因此，干扰诸如电压尖峰，并会导致在晶体管参数的变化。
3. 饱和键有显著的温度稳定性。

正如你所看到的，这个过程仍然是更好的开展，最终得到一个完美的设备。

速度

该参数取决于所允许的最大频率，可以进行时的开关信号。 这又取决于过渡过程中，这是由晶体管的惯性，以及寄生参数的影响而确定的持续时间。 为了表征性能逻辑元件往往表明当由其在该晶体管开关的传输延迟的信号时发生的平均时间。 图中显示了其正常的正是这种平均响应范围和节目。

与其他键的相互作用

要做到这一点，使用耦合器。 因此，如果第一开关输出处于高电压电平，那么就在所述第二入口和运行在预定模式下。 反之亦然。 这样的通信电路显着地影响在切换期间发生的瞬态过程，并且键的速度。 下面是一个晶体管开关。 最常见的是在其中相互作用只需要两个晶体管之间发生的方案。 但是，这并不意味着它是不可能使将要使用三个四个甚至更多的元件的装置。 但在实践中，这可能是很难找到一个使用，所以不使用这种类型的晶体管开关的工作。

选择什么

有什么更好的工作？ 让我们想象一下，我们有一个简单的晶体管开关，电源电压是0.5V。然后，用示波器可以捕获所有的变化。 如果在的速率设定0.5毫安的集电极电流，电压下降到40毫伏（基于将约为0.8V）。 到了问题的标准，我们可以说，这是一个相当显著偏差，这就对使用全系列方案，例如，开关，限制模拟信号。 因此，它们受到特殊 的场效应晶体管， 其具有控制的p-n结。 他们在双极型的优点是：

1. 残余应力对写入状况的关键轻微的价值。
2. 高电阻和作为一个结果 - 流经闭合构件的小电流。
3. 它功耗很低，所以不需要控制电压的显著来源。
4. 因此能够切换电的低电平信号，从而构成微伏为单位。

开关晶体管开关 - 这是该领域的理想应用。 当然，这条消息被完全放置到读者对他们使用的想法。 知识和智慧的一点点 - 和实施的可能性，其中有晶体管开关在丰度创造。

操作示例

让我们考虑更详细说明了如何简单的晶体管开关。 从一个信号输入端的开关被传递，并从其它出口去除。 要使用的电压比所述源极和漏极的一个值的高值大于2-3 V.然而锁定在晶体管的栅极关键，但应注意不要超出允许范围。 当开关被闭合时，电阻相对较大 - 小于10欧姆以上。 此值是由于以下事实进一步影响了pn结的更多和反向偏置电流的事实获得的。 在信号开关电路和栅电极之间的相同状态电容在3-30皮法的范围内。 现在打开晶体管开关。 驱动和实践将表明，如果栅极电压接近零，并强烈地依赖于负载电阻和开关电压特性。 这是由于相互作用栅极，源极和晶体管的漏极整个系统。 这为在直升机模式中使用的一些问题。

作为解决该问题，各种方案已经开发了提供该信道和栅极之间产生稳定电压。 此外，由于即使是二极管的物理性质可以被原样使用。 为此目的，它应包括在反向方向上阻断电压。 如果您将创建必要的情况下，二极管关闭，对正过渡打开。 要改变时切换电压保持开放，并且通道阻力不会改变，因此能够包括源和输入键之间的高电阻的电阻器。 和电容器电容的存在显著加速充电过程。

晶体管开关的计算

举的理解计算的例子，可以替代您的详细信息：

1）的集电极 - 发射极电压 - 45 V的总功耗 - 500兆瓦。 集电极 - 发射极电压 - 0.2 V.操作的截止频率 - 100兆赫。 的基极 - 发射极电压 - 0.9 V的集电极电流 - 100毫安。 统计电流传输比 - 200。

2）电阻器用于电流60毫安5-1,35-0,2 = 3.45。

3）集电极电阻值：3.45 \ 0.06欧姆= 57.5。

4）为方便起见，我们采取的62欧姆标称值：3.45 \ 62 =0.0556毫安。

5）我们假设基极电流：56 \ 200 = 0.28 MA（0.00028 A）。

6）需要多少电阻器基：5 - 0.9 = 4,1V。

7）确定基极电阻的电阻：4.1 \ = 0.00028欧姆14,642,9。

结论

最后，关于名称“电子钥匙”。 该状态是由当前更改的事实。 又是什么呢？ 这是正确的，一套电子收费。 从这个并没有第二个名字。 但在一般情况下，和所有。 正如你所看到的，工作原理和设备电路晶体管开关是不是复杂的，可以这么理解这一点 - 它是可行的。 应当指出的是，本文以刷新内存的连作者花了一些参考书籍，他借来的。 因此，如果您有疑问的术语，我建议对晶体管开关有召回技术词典和搜索的新的信息的存在。